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刷新最低导通电阻纪录的双芯片P沟道功率MOSFETSiA923EDJVishay万芳

发布时间:2020-02-14 12:02:24 阅读: 来源:生物有机肥厂家

刷新最低导通电阻纪录的双芯片P沟道功率MOSFET SiA923EDJ(Vishay)

SiA923EDJ在4.5V、2.5V、1.8V和1.5V时分别具有54mΩ、70mΩ、104mΩ和165mΩ的超低导通电阻。具有8V栅源电压等级且性能最接近的P沟道器件在4.5V、2.5V、1.8V和1.5 V时的导通电阻为60mΩ、80mΩ、110mΩ和170mΩ,分别比SiA923EDJ高10%、12%、5%和3%。

MOSFET在1.5V电压下就能导通,因而能够配合手持设备中常用的电压更低的栅极驱动器和更低的总线电压一起工作,不需要在电平转换电路上浪费空间和成本。SiA923EDJ的低导通电阻使其在峰值电流下的电压降更小,能够更好地防止有害的欠压锁定事件。紧凑的2mmx 2mm PowerPAK SC-70封装只有TSOP-6的一半大小,而导通电阻则相近或更佳,并且在相同环境条件下的散热多65%。

SiA923EDJ经过了100%的Rg测试,符合IEC 61249-2-21的无卤素规范及RoHS指令2002/95/EC。MOSFET的典型ESD保护达2500V。

SiA923EDJ与此前发布的具有12V最大栅源电压等级的20V SiA921EDJ P沟道MOSFET互为补充。随着SiA923EDJ的发布,设计者现在可以从具有更高栅极驱动电压的SiA921EDJ或具有更低阈值电压及更低导通电阻的器件当中选择合适的产品。

新款SiA923EDJ TrenchFET功率MOSFET现可提供样品,并已实现量产,大宗订货的供货周期为十四周到十六周。

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